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Advance Technical Information
BIMOSFET TM Monolithic
Bipolar MOS Transistor
IXBN 75N170A V CES
I C25
V CE(sat)
t fi
= 1700
= 75
= 6.0
= 60
V
A
V
ns
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
miniBLOC, SOT-227 B (IXBN)
V CES
V CGR
V GES
V GEM
I C25
I C90
I CM
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GE = 1 M ?
Continuous
Transient
T C = 25 ° C
T C = 90 ° C
T C = 25 ° C, 1 ms
1700
1700
± 20
± 30
75
42
240
V
V
V
V
A
A
A
E153432
G
E
C
E
SSOA
(RBSOA)
T SC
(SCSOA)
P C
V GE = 15 V, T VJ = 125 ° C, R G = 10 ?
Clamped inductive load
V GE = 15 V, V CES = 1200V, T J = 125 ° C
R G = 10 ? non repetitive
T C = 25 ° C
I CM =
V CES =
100
1350
10
500
A
V
μ s
W
G = Gate C = Collector
E = Emitter
Either Source terminal at miniBLOC can be used
as Main or Kelvin Emitter
T J
T JM
-55 ... +150
150
° C
° C
T stg
M d
Mounting torque
Terminal connection torque (M4)
-55 ... +150 ° C
1.5/13 Nm/lb.in.
1.5/13 Nm/lb.in.
Features
High Blocking Voltage
Weight
30
g
Fast switching
High current handling capability
MOS Gate turn-on
- drive simplicity
Isolation voltage 2500V
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
Applications
AC motor speed control
Uninterruptible power supplies (UPS)
BV CES
V GE(th)
I C
I C
= 250 μ A, V GE = 0 V
= 1500 μ A, V CE = V GE
1700
2.5
5.5
V
V
Switched-mode and resonant-mode
power supplies
Substitutes for high voltage MOSFETs
I CES
I GES
V CE = 0.8 V CES
V GE = 0 V
V CE = 0 V, V GE = ± 20 V
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
50
1.5
± 200
μ A
mA
nA
Advantages
Lower conduction losses than MOSFETs
High power density
V CE(sat)
I C
= I C90 , V GE = 15 V
T J = 125 ° C
4.5
5.0
6.0
V
V
Easy to mount with 2 screws
Space saving
? 2002 IXYS All rights reserved
98938 (7/02)
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